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Produktkategorien
Hunan Greber Elektronik Technologie Co., Ltd.
ESD-Elektrostatik- und Sperrprüfsysteme
VerhandlungsfähigAktualisieren am01/21
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- Natur des Herstellers
- Hersteller
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- Ursprungsort
Übersicht
Das elektrostatische Entladungs- und Sperrprüfsystem ES660 ist ein mehrstufiges, automatisches Testgerät, das den strengen Anforderungen moderner Halbleiterprüfungen gerecht wurde. Dieses Multifunktionsgerät ist für die nahtlose Unterstützung von Körpermodell (HBM), Maschinenmodell (MM) und Sperrprüfungen entwickelt worden und bietet eine umfassende Lösung zur Bewertung der Zuverlässigkeit und Robustheit integrierter Schaltungen (IC) und elektronischer Komponenten. Die ES660-P1-Konfiguration unterstützt bis zu 1280 Pins und ist ideal für die Prüfung komplexer ICs und elektronischer Komponenten mit einer großen Anzahl von Verbindungen. Dadurch werden die Testzeiten verkürzt und die Produktivität erhöht.
Produktdetails
ES660 Elektrostatische Entladungs- und Sperrprüfsysteme
1. Beschreibung
Das elektrostatische Entladungs- und Verriegelungsprüfsystem (LU) der Serie ES660 ist ein mehrstufiges, automatisches Testgerät, das den strengen Anforderungen moderner Halbleiterprüfungen gerecht ist. Dieses Multifunktionsgerät ist für die nahtlose Unterstützung von Körpermodell (HBM), Maschinenmodell (MM) und Sperrprüfungen entwickelt worden und bietet eine umfassende Lösung zur Bewertung der Zuverlässigkeit und Robustheit integrierter Schaltungen (IC) und elektronischer Komponenten. Der ES660 ist eine Upgrade der ES612A-Serie mit höheren Konfigurationsoptionen.
Die ES660-P1-Konfiguration unterstützt bis zu 1280 Pins und ist ideal für die Prüfung komplexer ICs und elektronischer Komponenten mit einer großen Anzahl von Verbindungen. Die hohe Stiftkapazität sorgt für eine präzise und effiziente Bewertung großer Geräte, was die Testzeiten verkürzt und die Produktivität erhöht.
Wenn eine höhere Anzahl von Pins erforderlich ist, kann die ES660-P1-Konfiguration auf ES660-P2 (bis zu 2560 Pins) aktualisiert werden.
2. Merkmal
Kompatibilität mit verschiedenen Testmethoden und Normen
Hochflexible Konfiguration der Anzahl der Vorurteile und Pins
Automatisierte Testeffizienz
Ausgezeichnete Kontrolle und Überwachung
Leckage- und Gleichstromscannen
Datenanalyse
Multi-Entladungskopf, automatischer Softwarewechsel
3. Anwendungen
ESD-Tests für Halbleitergeräte
HBM-Module entsprechen ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, MIL-STD-883E und AEC Q100-002
MM-Module nach ANSI/ESDA SP5.2
Sperrprüfung nach JEDEC JESD78
Übergangssperre nach ANSI/ESD SP5.4.1
4. Spezifikation
ES660 Basiseinheit
| Parameter | ES660 | Einheit | Bemerkung |
| Touchscreen | 5 | Zoll | |
| Größe | 480 x 497,5 x 265 | mm | |
| Gewicht | 28 | Kilogramm | Vollständige Installation |
| ESD 和 LU 波形 | Optionale passive Spannungs- und Stromsonde | ||
| Unterstützte Oszilloskope | Mainstream-Modelle von Keysight, Tektronix, LeCroy und Rigol | anpassbar | |
| Unterstützte SMU | Mainstream-Modelle von Keysight, Tektronix, LeCroy und Rigol | anpassbar | |
| Unterstützte Stromversorgung | Mainstream-Modelle von Keysight, Tektronix, LeCroy und Rigol | anpassbar |
HBM-Optionen für menschliches Modell
(ANSI / ESDA / JEDEC JS-001)
| Parameter | ES660-P1-HBM8 | ES660-P1-HBM10 | Einheit | Bemerkung |
| Ausgangsspannung | ±10～8000 | ±10～10000 | V | |
| Entladung RC Wert | C: 100 pF ± 10%, R: 1,5k Ω ± 1% | |||
| KurzschlüsseBelastungsspitzenstromIchps | 0,67 ± 10 % pro kV | Ein | ||
| KurzschlüsseAnstiegszeit der Lasttrs | 2 < trs< 10 | ns | ||
| KurzschlüsseLastdämpfungszeittds | 130 < tds< 170 | ns | ||
| KurzschlüsseKlingeln Trs | < Ichpsvon 15% | |||
| 500ΩBelastungsspitzeStromIchPr | IchPr/ Ichps≥ 63% | |||
| 500ΩAnstiegszeit der LasttRR | 5 < tRR< 25 | ns | ||
| Am schnellstenImpulsgeschwindigkeit | 10 | Einen/Sekunde | ||
| Anzahl gleichzeitiger Impulse | >=8 | Über 512 Pins | ||
MM-Modelloptionen
(ANSI/ESD SP5.2)
| Parameter | ES660-P1-MM2 | ES660-P1-MM4 | Einheit | Bemerkung |
| Ausgangsspannung | ±10 ~ 2000 | ±10 ~ 4000 | V | |
| Entladung RC Wert | C: 200 pF, R: 0 Ω | |||
| KurzschlüsseLastenSpitzenstromIchP1 | 1,75 ± 10% pro 100V | |||
| KurzschlüsseLastenIchP2 | IchP1von 67% bis 90% | |||
| KurzschlüsseLastpulszyklustNachmittag | 66 < tNachmittag< 90 | |||
| 500Ω BelastungsspitzeStromIchPr | 0.85 – 1.2 | @ 400 V Normkonform | ||
| 500ΩLastenIch100 | 0.23 – 0.4 | @ 400 V Normkonform | ||
| Die schnellste Impulsgeschwindigkeit | 10 | Einen/Sekunde | ||
| Anzahl gleichzeitiger Impulse | >=8 | Über 512 Pins | ||
DC & Verriegelungsoptionen
(JEDEC JESD78F.01)
| Parameter | ES660-P1-LU | Bemerkung |
| Vorbearbeitungsvektor | ≥ 20 MHz mit 256K Tiefe | Externe Einstellungen |
| V/I 4Lineare Kelvin-Messung | ja | |
| DUT V/I Busstromversorgung | 3+1, 5+1, 7+1 | Unterstützung der externen Erweiterung der DC-Quelle |
| LU Wellenformerfassung | ja | |
| MatrixDCSpannung | 200 V | |
| SSR MatrixDCSpannung(V) | 100V | |
| PinDCStrom | 2A | |
| DC-Kanalstrom | 15A | |
| Standardspannung der Sperrquelle | >= 150V | Strombegrenzung 1,2 A |
| StandardSperrquelle Strom | >= 10A | Spannung 6 V |
Optionen für TLU-Übergangssperren
(ANSI/ESD SP5.4.1)
PlanHardware-Unterstützung für die Verriegelung transienter Impulsquellen:
ES622 (TLP/ VF–TLP)und EOS-500 (EOS),LVS-500 (LVS),MM
5. Bestellungsinformationen
| Nummer | Modell | Beschreibung |
| Grundeinheitsoptionen | ||
| 1.1 | ES660-P1-BU | Relaisbasierte HBM/MM/LU ATE Systemgrundlage |
| 1.2 | ES660-P1-HBM8 | Testoptionen für HBM-Modelle, Spannung bis 8 kV |
| 1.3 | ES660-P1-HBM10 | Testoptionen für HBM-Modelle, Spannung bis 10 kV (Ausführung) |
| 1.4 | ES660-P1-MM2 | Testoptionen für MM-Modelle, Spannung bis 2 kV |
| 1.5 | ES660-P1-MM4 | Testoptionen für MM-Modelle, Spannung bis 4 kV (Ausfall) |
| 1.6 | ES660-P1-LU | Sperrprüfoptionen (Software) |
| 1.7 | ES660-P1-TLU | Optionen zur Übergangssperrtest (Software – TLP, EOS) |
| 1.8 | ES660-TFM | Temperaturkontrollmodule |
| RelaisKarteDC- und Verteilungsauswahl | ||
| 2.1 | ES660-P1-R64B4 | Erweiterungsrelaiskarte, 64 Pins, 3+1 Offset |
| 2.2 | ES660-P1-R64B6 | Erweiterungsrelaiskarte, 64 Pins, 5+1 Offset |
| 2.3 | ES660-P1-R64B8 | Erweiterungsrelaiskarte, 64 Pins, 7+1 Offset |
| Gleichstrom,LeckageundSchlossOptionen der Pulsquelle | ||
| 3.1 | ES660-PSMU2 | DC-LU-Quelle: Dual-Channel-Impuls-SMU (210V/1,5A) |
| 3.2 | ES660-SMU1 | Leckage \ Gleichstromquelle: Single-Channel SMU (200V/1A) |
| 3.3 | ES660-PSU1 | Gleichstromversorgung: Flexible Kanal PSU (32V/3A X 2 Ch + 6V/5A X 1 Ch oder 70V/3A X 1 Ch oder 32V/6A X 1 Ch + 6V/5A X 1 Ch) |
| 3.4 | ES660-PSU2 | Gleichstromversorgung: 3-Kanal-Netzteil (60V/3A X 2 Ch + 5V/3A X 1 Ch oder 125V/3A X 1 Ch) |
| 3.5 | ES660-PSU3 | Gleichstromversorgung: Hochstromversorgung (20V/20A X 1 Ch) |
| 3.6 | ES660-PSU4 | Gleichstromversorgung: Hochstromversorgung (30V/25A X 1 Ch) |
| 3.7 | ES660-PSU5 | Gleichstromversorgung: 3-Kanal-Netzteil (30V/6A X 2 Ch, 5V/3A X 1 Ch oder 60V/6A X 1 Ch) |
| 3.8 | ES660-PSU7 | Gleichstromversorgung: Dual-Range-PSU (100V/1A oder 30V/5A) |
| 3.9 | ES660-PSU-MC1 | Mehrkanal-PSU: Hauptrahmen, mit Oszilloskop |
| 3.10 | ES660-PSUC1 | Mehrkanal-Netzteil: 50V, 5A, 50W-Module |
| 3.11 | ES660-PSUC2 | Mehrkanal-Netzteil: 50V, 10A, 100W-Module |
| 3.12 | ES660-PSUC3 | Mehrkanal-Netzteil: 60V, 5A, 300W-Module |
| 3.13 | ES660-PSUC4 | Mehrkanal-Netzteil: 100V, 1A, 100W-Module |
| 3.14 | ES660-PSUC5 | Mehrkanal-Netzteil: 100V, 3A, 300W-Module |
| 3.15 | ES660-PSUC6 | Mehrkanal-Netzteil: 150V, 2A, 300W-Module |
| Steckdose-Optionen testen | ||
| 4.1 | ES660-P1-DS512 | DUT Steckdose PCB 512 Pins |
| 4.2 | ES660-P1-DS1024 | DUT Steckdose PCB 1024 Pin |
| 4.3 | ES660-P1-DSC1 | DUT Steckdose PCB individuelle Stifte |
| Oszilloskopoptionen | ||
| 5.1 | MISC-OSC350 | Digitales Osziloskop (350 MHz, 4 Kanäle) |
| 5.2 | MISC-OSC1 | Digitales Oszilloskop (1 GHz, 5 GS/s, 4 Ch) |
| 5.3 | CT-T03-1p0 | Breitbandstromsonde, 1V/A, 2kHz – 2GHz |
Hinweis: Mutterplatten, Matrixkarten, Wellenplatten und selbstkalibrierte Diagnoseplatten gehören zur Standardkonfiguration des Geräts und werden daher nicht in den Bestellinformationen enthalten.
